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BLF8G19LS-170BVU

BLF8G19LS-170BVU

참조 용

부품 번호 BLF8G19LS-170BVU
PNEDA 부품 번호 BLF8G19LS-170BVU
설명 RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 6,516
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 21 - 4월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF8G19LS-170BVU 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF8G19LS-170BVU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF8G19LS-170BVU, BLF8G19LS-170BVU 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 1,003.67 KB)
PDFBLF8G19LS-170BVU 데이터 시트 표지
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BLF8G19LS-170BVU 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual), Common Source
주파수1.94GHz ~ 1.99GHz
이득18dB
전압-테스트32V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.3A
전원-출력60W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-1120B
공급자 장치 패키지LDMOST

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전원-출력

1W

전압-정격

15V

패키지 / 케이스

NI-360HF

공급자 장치 패키지

NI-360HF

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

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이득

19.2dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

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전압-정격

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패키지 / 케이스

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시리즈

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주파수

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이득

-

전압-테스트

15V

전류 정격 (Amps)

10mA

소음 수치

4dB

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

25V

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

1.93GHz

이득

17.8dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-880XS

공급자 장치 패키지

NI-880XS

BLF145,112

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

28MHz

이득

27dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

6A

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

8W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-123A

공급자 장치 패키지

SOT-123A

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