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BLF8G22LS-200GVJ

BLF8G22LS-200GVJ

참조 용

부품 번호 BLF8G22LS-200GVJ
PNEDA 부품 번호 BLF8G22LS-200GVJ
설명 RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 7,974
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 4 - 2월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF8G22LS-200GVJ 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF8G22LS-200GVJ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF8G22LS-200GVJ, BLF8G22LS-200GVJ 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 1,173.45 KB)
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BLF8G22LS-200GVJ 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.11GHz ~ 2.17GHz
이득19dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트2A
전원-출력55W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-1244C
공급자 장치 패키지CDFM6

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9V

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소음 수치

-

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

17.9dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

700mA

전원-출력

90W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.03GHz

이득

18.2dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

1300W

전압-정격

105V

패키지 / 케이스

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

870MHz

이득

15dB ~ 17dB

전압-테스트

13.6V

전류 정격 (Amps)

8A

소음 수치

-

현재-테스트

350mA

전원-출력

35W

전압-정격

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