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BLM8G0710S-45ABY

BLM8G0710S-45ABY

참조 용

부품 번호 BLM8G0710S-45ABY
PNEDA 부품 번호 BLM8G0710S-45ABY
설명 RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 8,172
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 26 - 1월 31 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLM8G0710S-45ABY 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLM8G0710S-45ABY
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLM8G0710S-45ABY, BLM8G0710S-45ABY 데이터 시트 (총 페이지: 21, 크기: 1,890.26 KB)
PDFBLM8G0710S-45ABGY 데이터 시트 표지
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BLM8G0710S-45ABY 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수957.5MHz
이득35dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트30mA
전원-출력3W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-1211-2
공급자 장치 패키지16-HSOPF

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LDMOS

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-

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-

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10mA

전원-출력

25W

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133V

패키지 / 케이스

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NI-360

제조업체

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시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

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전압-테스트

7.5V

전류 정격 (Amps)

3A

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

38.6dBm

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

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주파수

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이득

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780-4

공급자 장치 패키지

NI-780-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

SOT-1120B

공급자 장치 패키지

CDFM6

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.39GHz

이득

14dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.9A

전원-출력

40W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-1230

공급자 장치 패키지

NI-1230

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