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BLP05H6700XRGY

BLP05H6700XRGY

참조 용

부품 번호 BLP05H6700XRGY
PNEDA 부품 번호 BLP05H6700XRGY
설명 RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLP05H6700XRGY 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLP05H6700XRGY
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLP05H6700XRGY, BLP05H6700XRGY 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 1,698.94 KB)
PDFBLP05H6700XRGY 데이터 시트 표지
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BLP05H6700XRGY 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수600MHz
이득26dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)1.4µA
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력700W
전압-정격135V
패키지 / 케이스SOT-1204-2
공급자 장치 패키지4-HSOP

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28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

48W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-1230S

공급자 장치 패키지

NI-1230S

BLF888ESU

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

600MHz ~ 700MHz

이득

17dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

750W

전압-정격

104V

패키지 / 케이스

SOT539B

공급자 장치 패키지

SOT539B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.5GHz ~ 2.7GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

12A

소음 수치

-

현재-테스트

430mA

전원-출력

3W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1112B

공급자 장치 패키지

CDFM6

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

30MHz ~ 2.2GHz

이득

18.4dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

125W

전압-정격

150V

패키지 / 케이스

NI-400S-2S

공급자 장치 패키지

NI-400S-2S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.09GHz

이득

32.1dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

80mA

전원-출력

250W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

TO-270-14 Variant, Flat Leads

공급자 장치 패키지

TO-270 WB-14

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