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BLP10H610Z

BLP10H610Z

참조 용

부품 번호 BLP10H610Z
PNEDA 부품 번호 BLP10H610Z
설명 RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 11,676
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLP10H610Z 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLP10H610Z
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLP10H610Z, BLP10H610Z 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 870.2 KB)
PDFBLP10H610AZ 데이터 시트 표지
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  • BLP10H610Z Distributor

BLP10H610Z 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual), Common Source
주파수860MHz
이득22dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트60mA
전원-출력10W
전압-정격104V
패키지 / 케이스12-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지12-HVSON (6x5)

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제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

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트랜지스터 유형

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주파수

0Hz ~ 4GHz

이득

19dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

28A

소음 수치

-

현재-테스트

1A

전원-출력

120W

전압-정격

84V

패키지 / 케이스

440193

공급자 장치 패키지

440193

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

3.4GHz ~ 3.6GHz

이득

15dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

160mA

전원-출력

2W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-400S-2S

공급자 장치 패키지

NI-400S-2S

PTAC210802FCV1XWSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

860MHz

이득

22dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

350mA

전원-출력

18W

전압-정격

115V

패키지 / 케이스

TO-272-4

공급자 장치 패키지

TO-272-4

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.2GHz

이득

17dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

2.8µA

소음 수치

-

현재-테스트

800mA

전원-출력

400W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1258-4

공급자 장치 패키지

SOT1258-4

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