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BLP10H630PGY

BLP10H630PGY

참조 용

부품 번호 BLP10H630PGY
PNEDA 부품 번호 BLP10H630PGY
설명 RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 7,380
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLP10H630PGY 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLP10H630PGY
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLP10H630PGY, BLP10H630PGY 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 1,762.61 KB)
PDFBLP10H630PY 데이터 시트 표지
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BLP10H630PGY 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1GHz
이득18dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)1.4µA
소음 수치-
현재-테스트20mA
전원-출력30W
전압-정격110V
패키지 / 케이스SOT-1224-2
공급자 장치 패키지4-HSOPF

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

40.68MHz

이득

15dB

전압-테스트

250V

전류 정격 (Amps)

6.5A

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

140W

전압-정격

900V

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

SPF-2086TK

RFMD

제조업체

RFMD

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

4GHz

이득

18.7dB

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

140mA

소음 수치

0.5dB

현재-테스트

40mA

전원-출력

20dBm

전압-정격

7V

패키지 / 케이스

SOT-86

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.62GHz

이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

300mA

전원-출력

14W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S-4

공급자 장치 패키지

NI-780S-4

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

18.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

65A

소음 수치

-

현재-테스트

1.9A

전원-출력

70W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539B

공급자 장치 패키지

SOT539B

2N5246_J35Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

7mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

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