BLP10H630PY
참조 용
| 부품 번호 | BLP10H630PY |
| PNEDA 부품 번호 | BLP10H630PY |
| 설명 | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF |
| 제조업체 | Ampleon |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,168 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 8 - 7월 13 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BLP10H630PY 리소스
| 브랜드 | Ampleon |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BLP10H630PY |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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BLP10H630PY 사양
| 제조업체 | Ampleon USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 1GHz |
| 이득 | 18dB |
| 전압-테스트 | 50V |
| 전류 정격 (Amps) | 1.4µA |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 20mA |
| 전원-출력 | 30W |
| 전압-정격 | 110V |
| 패키지 / 케이스 | SOT-1223-2 |
| 공급자 장치 패키지 | 4-HSOPF |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 1.4GHz 이득 17.7dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 100mA 전원-출력 1000W 전압-정격 105V 패키지 / 케이스 SOT-979A 공급자 장치 패키지 NI-1230-4H |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel 주파수 150MHz 이득 25dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) 2mA 소음 수치 - 현재-테스트 250mA 전원-출력 300W 전압-정격 170V 패키지 / 케이스 M177 공급자 장치 패키지 M177 |
제조업체 Cree/Wolfspeed 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.99GHz 이득 19dB 전압-테스트 30V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 2.6A 전원-출력 80W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 H-37275-6/2 공급자 장치 패키지 H-37275-6/2 |
제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual), Common Source 주파수 860MHz 이득 21dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 1.3A 전원-출력 250W 전압-정격 110V 패키지 / 케이스 SOT539B 공급자 장치 패키지 SOT539B |
