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BLP8G10S-45PJ

BLP8G10S-45PJ

참조 용

부품 번호 BLP8G10S-45PJ
PNEDA 부품 번호 BLP8G10S-45PJ
설명 TRANS LDMOS 45W 4HSOPF
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,544
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 13 - 4월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLP8G10S-45PJ 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLP8G10S-45PJ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLP8G10S-45PJ, BLP8G10S-45PJ 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 1,560.63 KB)
PDFBLP8G10S-45PJ 데이터 시트 표지
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BLP8G10S-45PJ 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수952.5MHz ~ 957.5MHz
이득20.8dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트224mA
전원-출력2.5W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-1223-1
공급자 장치 패키지4-HSOPF

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제조업체

Cree/Wolfspeed

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트랜지스터 유형

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주파수

2.5GHz ~ 2.7GHz

이득

18dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

6A

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

100W

전압-정격

50V

패키지 / 케이스

440162

공급자 장치 패키지

440162

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

200MHz

이득

-

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

1dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

7V

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

CMPAK-4

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.3GHz ~ 2.4GHz

이득

17.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.74A

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539B

공급자 장치 패키지

SOT539B

PTFA070601EV4XWSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

760MHz

이득

19.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-36265-2

공급자 장치 패키지

H-36265-2

BF 1005SR E6327

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

800MHz

이득

22dB

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

25mA

소음 수치

1.6dB

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

8V

패키지 / 케이스

SOT-143R

공급자 장치 패키지

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