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BLS6G3135S-120,112

BLS6G3135S-120,112

참조 용

부품 번호 BLS6G3135S-120,112
PNEDA 부품 번호 BLS6G3135S-120-112
설명 RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502B
제조업체 Ampleon
단가
1 ---------- $3,640.4096
50 ---------- $3,469.7654
100 ---------- $3,299.1212
200 ---------- $3,128.4770
400 ---------- $2,986.2735
500 ---------- $2,844.0700
재고 있음 5,543
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BLS6G3135S-120 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLS6G3135S-120,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLS6G3135S-120, BLS6G3135S-120 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 1,111.18 KB)
PDFBLS6G3135-120 데이터 시트 표지
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  • BLS6G3135S-120,112 Distributor

BLS6G3135S-120 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수3.1GHz ~ 3.5GHz
이득11dB
전압-테스트32V
전류 정격 (Amps)7.2A
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력120W
전압-정격60V
패키지 / 케이스SOT-502B
공급자 장치 패키지SOT502B

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.14GHz

이득

18.1dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

48W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-1230S

공급자 장치 패키지

NI-1230S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

945MHz

이득

19dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

250mA

전원-출력

30W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-360S

공급자 장치 패키지

NI-360S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

800MHz

이득

-

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

40mA

소음 수치

2dB

현재-테스트

15mA

전원-출력

-

전압-정격

7V

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

CMPAK-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

200MHz

이득

-

전압-테스트

8V

전류 정격 (Amps)

40mA

소음 수치

0.6dB

현재-테스트

15mA

전원-출력

-

전압-정격

12V

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

CMPAK-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.03GHz ~ 1.09GHz

이득

19.2dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

770W

전압-정격

105V

패키지 / 케이스

NI-780S-4L

공급자 장치 패키지

NI-780S-4L

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