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BLS7G2729L-350P,11

BLS7G2729L-350P,11

참조 용

부품 번호 BLS7G2729L-350P,11
PNEDA 부품 번호 BLS7G2729L-350P-11
설명 RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539A
제조업체 Ampleon
단가
1 ---------- $7,434.2537
50 ---------- $7,085.7731
100 ---------- $6,737.2924
200 ---------- $6,388.8118
400 ---------- $6,098.4112
500 ---------- $5,808.0107
재고 있음 79
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BLS7G2729L-350P 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLS7G2729L-350P,11
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLS7G2729L-350P, BLS7G2729L-350P 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 1,002.48 KB)
PDFBLS7G2729L-350P 데이터 시트 표지
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BLS7G2729L-350P 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual), Common Source
주파수2.7GHz ~ 2.9GHz
이득13dB
전압-테스트32V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트200mA
전원-출력350W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT539A
공급자 장치 패키지SOT539A

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50mA

소음 수치

1dB

현재-테스트

20mA

전원-출력

8dBm

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이득

11.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

5A

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

M113

공급자 장치 패키지

M113

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

230MHz

이득

24dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

1250W

전압-정격

133V

패키지 / 케이스

SOT-979A

공급자 장치 패키지

NI-1230-4H

SD2931

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

175MHz

이득

15dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

20A

소음 수치

-

현재-테스트

250mA

전원-출력

150W

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

M244

공급자 장치 패키지

M244

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

920MHz

이득

19.3dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

72W

전압-정격

70V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

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