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BLT80,115

BLT80,115

참조 용

부품 번호 BLT80,115
PNEDA 부품 번호 BLT80-115
설명 RF TRANS NPN 10V 900MHZ SOT223
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 6,444
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLT80 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLT80,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
BLT80, BLT80 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 82.57 KB)
PDFBLT80 데이터 시트 표지
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BLT80 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)10V
주파수-전환900MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)-
이득-
전력-최대2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce25 @ 150mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대)250mA
작동 온도175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지SOT-223

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제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3.3V

주파수-전환

21GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.2dB @ 2GHz

이득

12.5dB

전력-최대

115mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 2V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-523

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

주파수-전환

9GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz

이득

-

전력-최대

400mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 40mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

SOT-143B

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

6.5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

이득

9dB

전력-최대

1.2W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

125 @ 20mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

SOT-89

80262

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

8dB

전력-최대

11W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.3A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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