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BM60052FV-CE2

BM60052FV-CE2

참조 용

부품 번호 BM60052FV-CE2
PNEDA 부품 번호 BM60052FV-CE2
설명 DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 28SSOP
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,568
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BM60052FV-CE2 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BM60052FV-CE2
분류반도체절연체절연체-게이트 드라이버

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BM60052FV-CE2 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q100
기술Magnetic Coupling
채널 수1
전압-절연2500Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소)100kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대)-
펄스 폭 왜곡 (최대)-
상승 / 하강 시간 (일반)50ns, 50ns
전류-출력 높음, 낮음-
전류-피크 출력5A
전압-순방향 (Vf) (통상)-
전류-DC 순방향 (If) (최대)-
전압-출력 공급10V ~ 20V
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스28-SSOP (0.315", 8.00mm Width)
공급자 장치 패키지28-SSOP-BW
승인UR

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기술

Magnetic Coupling

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전압-절연

2500Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

25kV/µs

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

60ns, 60ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 20ns

전류-출력 높음, 낮음

-

전류-피크 출력

4A

전압-순방향 (Vf) (통상)

-

전류-DC 순방향 (If) (최대)

-

전압-출력 공급

4.5V ~ 18V

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

승인

CSA, UR, VDE

SI8234BD-C-ISR

Silicon Labs

제조업체

Silicon Labs

시리즈

Automotive, AEC-Q100

기술

Capacitive Coupling

채널 수

2

전압-절연

5000Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

20kV/µs

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

60ns, 60ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

5.6ns

상승 / 하강 시간 (일반)

12ns, 12ns (Max)

전류-출력 높음, 낮음

2A, 4A

전류-피크 출력

4A

전압-순방향 (Vf) (통상)

-

전류-DC 순방향 (If) (최대)

-

전압-출력 공급

9.4V ~ 24V

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

승인

CQC, CSA, UR, VDE

SI823H2BB-IS1

Silicon Labs

제조업체

Silicon Labs

시리즈

*

기술

-

채널 수

-

전압-절연

-

공통 모드 과도 내성 (최소)

-

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

-

펄스 폭 왜곡 (최대)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

전류-출력 높음, 낮음

-

전류-피크 출력

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

-

전류-DC 순방향 (If) (최대)

-

전압-출력 공급

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

승인

-

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Silicon Labs

제조업체

Silicon Labs

시리즈

Automotive, AEC-Q100

기술

Capacitive Coupling

채널 수

2

전압-절연

5000Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

35kV/µs

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

40ns, 40ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

5.6ns

상승 / 하강 시간 (일반)

12ns, 12ns (Max)

전류-출력 높음, 낮음

2A, 4A

전류-피크 출력

4A

전압-순방향 (Vf) (통상)

-

전류-DC 순방향 (If) (최대)

-

전압-출력 공급

6.5V ~ 24V

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

승인

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전압-절연

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공통 모드 과도 내성 (최소)

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전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

2µs, 2µs

펄스 폭 왜곡 (최대)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

200ns, 200ns

전류-출력 높음, 낮음

-

전류-피크 출력

600mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

25mA

전압-출력 공급

15V ~ 30V

작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

8-DIP

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