BPW34B
참조 용
| 부품 번호 | BPW34B |
| PNEDA 부품 번호 | BPW34B |
| 설명 | SENSOR PHOTODIODE 850NM T/H |
| 제조업체 | OSRAM Opto Semiconductors Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,190 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 23 - 6월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BPW34B 리소스
| 브랜드 | OSRAM Opto Semiconductors Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BPW34B |
| 분류 | 센서 › 광 센서 › 광 센서-포토 다이오드 |
| 데이터 시트 |
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BPW34B 사양
| 제조업체 | OSRAM Opto Semiconductors Inc. |
| 시리즈 | - |
| 파장 | 850nm |
| 색상-강화 | - |
| 분광 범위 | 350nm ~ 1100nm |
| 다이오드 유형 | PIN |
| nm에서의 반응 | - |
| 응답 시간 | 25ns |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 32V |
| 전류-어둡게 (일반) | 2nA |
| 활성 영역 | 7.34mm² |
| 시야각 | 120° |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | - |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Advanced Photonix 시리즈 - 파장 360nm 색상-강화 - 분광 범위 300nm ~ 400nm 다이오드 유형 PIN nm에서의 반응 0.1 A/W @ 360nm 응답 시간 1µs 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 15V 전류-어둡게 (일반) 5nA 활성 영역 10.84mm² 시야각 - 작동 온도 -40°C ~ 85°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 2-DIP Module |
제조업체 Advanced Photonix 시리즈 - 파장 - 색상-강화 - 분광 범위 190nm ~ 1100nm 다이오드 유형 PIN nm에서의 반응 0.18 A/W @ 254nm 응답 시간 58ns 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 30V 전류-어둡게 (일반) 2.5nA 활성 영역 7.95mm² 시야각 68° 작동 온도 -40°C ~ 125°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-5 Variant, 2 Leads, Lens Top Metal Can |
제조업체 TT Electronics/Optek Technology 시리즈 - 파장 885nm 색상-강화 - 분광 범위 600nm ~ 1100nm 다이오드 유형 PIN nm에서의 반응 - 응답 시간 10ns 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 60V 전류-어둡게 (일반) 1nA 활성 영역 - 시야각 24° 작동 온도 -65°C ~ 125°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 - |
제조업체 Honeywell Sensing and Productivity Solutions 시리즈 - 파장 - 색상-강화 - 분광 범위 - 다이오드 유형 - nm에서의 반응 - 응답 시간 50ns 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 50V 전류-어둡게 (일반) 50nA 활성 영역 - 시야각 50° 작동 온도 -40°C ~ 85°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 - |
