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BR24G01-3

BR24G01-3

참조 용

부품 번호 BR24G01-3
PNEDA 부품 번호 BR24G01-3
설명 IC EEPROM 1K I2C 400KHZ 8-DIP-T
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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BR24G01-3 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BR24G01-3
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
BR24G01-3, BR24G01-3 데이터 시트 (총 페이지: 36, 크기: 587.19 KB)
PDFBR24G01-3 데이터 시트 표지
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  • BR24G01-3 Distributor

BR24G01-3 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기1Kb (128 x 8)
메모리 인터페이스I²C
시계 주파수400kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지5ms
접근 시간-
전압-공급1.6V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지8-DIP-T

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제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

32Gb (4G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-VFBGA

공급자 장치 패키지

100-VBGA (12x18)

IS42SM16800H-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile

메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.5ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TFBGA

공급자 장치 패키지

54-TFBGA (8x8)

IDT71024S12YI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

12ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

32-SOJ

71V3557S85PFG

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

W632GG8MB-11 TR

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

933MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

78-VFBGA

공급자 장치 패키지

78-VFBGA (10.5x8)

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