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BR24G32FVM-3AGTTR

BR24G32FVM-3AGTTR

참조 용

부품 번호 BR24G32FVM-3AGTTR
PNEDA 부품 번호 BR24G32FVM-3AGTTR
설명 IC EEPROM 32K I2C 1MHZ 8MSOP
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,560
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BR24G32FVM-3AGTTR 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BR24G32FVM-3AGTTR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
BR24G32FVM-3AGTTR, BR24G32FVM-3AGTTR 데이터 시트 (총 페이지: 40, 크기: 2,764.23 KB)
PDFBR24G32FVT-3AGE2 데이터 시트 표지
BR24G32FVT-3AGE2 데이터 시트 페이지 2 BR24G32FVT-3AGE2 데이터 시트 페이지 3 BR24G32FVT-3AGE2 데이터 시트 페이지 4 BR24G32FVT-3AGE2 데이터 시트 페이지 5 BR24G32FVT-3AGE2 데이터 시트 페이지 6 BR24G32FVT-3AGE2 데이터 시트 페이지 7 BR24G32FVT-3AGE2 데이터 시트 페이지 8 BR24G32FVT-3AGE2 데이터 시트 페이지 9 BR24G32FVT-3AGE2 데이터 시트 페이지 10 BR24G32FVT-3AGE2 데이터 시트 페이지 11

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BR24G32FVM-3AGTTR 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기32Kb (4K x 8)
메모리 인터페이스I²C
시계 주파수1MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지5ms
접근 시간-
전압-공급1.7V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
공급자 장치 패키지8-MSOP

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기술

FLASH

메모리 크기

32Mb (512 Bytes x 8192 pages)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

8µs, 4ms

접근 시간

-

전압-공급

2.3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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제조업체

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시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

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시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

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전압-공급

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작동 온도

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장착 유형

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패키지 / 케이스

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Micron Technology Inc.

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메모리 크기

128Mb (4M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

125MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

7ns

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

-20°C ~ 75°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

90-VFBGA

공급자 장치 패키지

90-VFBGA (8x13)

MT29F64G08CFACAWP-Z:C TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

64Gb (8G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP I

IS42VM16160E-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.5ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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