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BR24G64FVJ-3GTE2

BR24G64FVJ-3GTE2

참조 용

부품 번호 BR24G64FVJ-3GTE2
PNEDA 부품 번호 BR24G64FVJ-3GTE2
설명 IC EEPROM 64K I2C 400KHZ 8TSSOP
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,642
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BR24G64FVJ-3GTE2 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BR24G64FVJ-3GTE2
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
BR24G64FVJ-3GTE2, BR24G64FVJ-3GTE2 데이터 시트 (총 페이지: 39, 크기: 1,408.61 KB)
PDFBR24G64F-3GTE2 데이터 시트 표지
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BR24G64FVJ-3GTE2 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스I²C
시계 주파수400kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지5ms
접근 시간-
전압-공급1.6V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지8-TSSOP-BJ

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SDRAM - DDR4

메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1.2GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

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작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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시리즈

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메모리 유형

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메모리 포맷

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기술

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메모리 크기

8Kb (1K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

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접근 시간

25ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

8Mb (1M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

2.4V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA

공급자 장치 패키지

48-miniBGA (6x8)

CAT28C512L12

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

120ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

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메모리 유형

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메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

8Kb (1K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20ns

접근 시간

20ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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