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BR24T04FJ-WE2

BR24T04FJ-WE2

참조 용

부품 번호 BR24T04FJ-WE2
PNEDA 부품 번호 BR24T04FJ-WE2
설명 IC EEPROM 4K I2C 400KHZ 8SOPJ
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 21,144
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 1 - 2월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BR24T04FJ-WE2 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BR24T04FJ-WE2
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
BR24T04FJ-WE2, BR24T04FJ-WE2 데이터 시트 (총 페이지: 36, 크기: 1,947.37 KB)
PDFBR24T04FVJ-WE2 데이터 시트 표지
BR24T04FVJ-WE2 데이터 시트 페이지 2 BR24T04FVJ-WE2 데이터 시트 페이지 3 BR24T04FVJ-WE2 데이터 시트 페이지 4 BR24T04FVJ-WE2 데이터 시트 페이지 5 BR24T04FVJ-WE2 데이터 시트 페이지 6 BR24T04FVJ-WE2 데이터 시트 페이지 7 BR24T04FVJ-WE2 데이터 시트 페이지 8 BR24T04FVJ-WE2 데이터 시트 페이지 9 BR24T04FVJ-WE2 데이터 시트 페이지 10 BR24T04FVJ-WE2 데이터 시트 페이지 11

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  • BR24T04FJ-WE2 Distributor

BR24T04FJ-WE2 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기4Kb (512 x 8)
메모리 인터페이스I²C
시계 주파수400kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지5ms
접근 시간-
전압-공급1.6V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP-J

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Volatile

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DRAM

기술

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메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

667MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-VFBGA

공급자 장치 패키지

96-VFBGA (7.5x13)

71V3577S75PFGI8

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제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

117MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

7.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP

IS42S32200L-6BI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

64Mb (2M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

90-TFBGA

공급자 장치 패키지

90-TFBGA (8x13)

W632GU6KB-15 TR

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3L

메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

667MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-WBGA (9x13)

24C00/SN

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

128b (16 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

4ms

접근 시간

3500ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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