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BR93G56FJ-3GTE2

BR93G56FJ-3GTE2

참조 용

부품 번호 BR93G56FJ-3GTE2
PNEDA 부품 번호 BR93G56FJ-3GTE2
설명 MICROWIRE BUS 2KBIT(128X16BIT) E
제조업체 Rohm Semiconductor
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재고 있음 3,600
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예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BR93G56FJ-3GTE2 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BR93G56FJ-3GTE2
분류반도체메모리 IC기억

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BR93G56FJ-3GTE2 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기2Kb (256 x 8, 128 x 16)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수3MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지5ms
접근 시간-
전압-공급1.7V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP-J

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

SST39 MPF™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10µs

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA

공급자 장치 패키지

48-TFBGA

70V3319S166BC

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

4.5Mb (256K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.6ns

전압-공급

3.15V ~ 3.45V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

256-LBGA

공급자 장치 패키지

256-CABGA (17x17)

MT48H8M16LFB4-75:K

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPSDR

메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

5.4ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-VFBGA

공급자 장치 패키지

54-VFBGA (8x8)

AS4C128M16D3-12BCNTR

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

20ns

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-FBGA (9x13)

W25Q32FVZPIQ TR

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

SpiFlash®

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

32Mb (4M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O, QPI

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs, 3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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