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BR93H46RFVT-2CE2

BR93H46RFVT-2CE2

참조 용

부품 번호 BR93H46RFVT-2CE2
PNEDA 부품 번호 BR93H46RFVT-2CE2
설명 AUTOMOTIVE MICROWIRE BUS 1KBIT(6
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BR93H46RFVT-2CE2 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BR93H46RFVT-2CE2
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
BR93H46RFVT-2CE2, BR93H46RFVT-2CE2 데이터 시트 (총 페이지: 32, 크기: 1,057.6 KB)
PDFBR93H46RFJ-2CE2 데이터 시트 표지
BR93H46RFJ-2CE2 데이터 시트 페이지 2 BR93H46RFJ-2CE2 데이터 시트 페이지 3 BR93H46RFJ-2CE2 데이터 시트 페이지 4 BR93H46RFJ-2CE2 데이터 시트 페이지 5 BR93H46RFJ-2CE2 데이터 시트 페이지 6 BR93H46RFJ-2CE2 데이터 시트 페이지 7 BR93H46RFJ-2CE2 데이터 시트 페이지 8 BR93H46RFJ-2CE2 데이터 시트 페이지 9 BR93H46RFJ-2CE2 데이터 시트 페이지 10 BR93H46RFJ-2CE2 데이터 시트 페이지 11

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BR93H46RFVT-2CE2 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q100
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기1Kb (64 x 16)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수2MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지4ms
접근 시간-
전압-공급2.5V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-TSSOP-B

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

90ns

접근 시간

90ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-VFBGA

공급자 장치 패키지

48-FBGA (8.15x6.15)

W25Q64JVSSIM TR

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

SpiFlash®

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (8M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

S72XS256RE0AHBJ13

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH, RAM

기술

FLASH, DRAM

메모리 크기

256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

108MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

133-VFBGA

공급자 장치 패키지

133-FBGA (8x8)

709379L9PF8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

576Kb (32K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

9ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

M95512-DRMN8TP/K

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

Automotive, AEC-Q100

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

16MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

4ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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