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BR93H66RFJ-2CE2

BR93H66RFJ-2CE2

참조 용

부품 번호 BR93H66RFJ-2CE2
PNEDA 부품 번호 BR93H66RFJ-2CE2
설명 EEPROMS MICROWIRE SERIAL BUS, HI
제조업체 Rohm Semiconductor
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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BR93H66RFJ-2CE2 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BR93H66RFJ-2CE2
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
BR93H66RFJ-2CE2, BR93H66RFJ-2CE2 데이터 시트 (총 페이지: 32, 크기: 1,059.27 KB)
PDFBR93H66RFJ-2CE2 데이터 시트 표지
BR93H66RFJ-2CE2 데이터 시트 페이지 2 BR93H66RFJ-2CE2 데이터 시트 페이지 3 BR93H66RFJ-2CE2 데이터 시트 페이지 4 BR93H66RFJ-2CE2 데이터 시트 페이지 5 BR93H66RFJ-2CE2 데이터 시트 페이지 6 BR93H66RFJ-2CE2 데이터 시트 페이지 7 BR93H66RFJ-2CE2 데이터 시트 페이지 8 BR93H66RFJ-2CE2 데이터 시트 페이지 9 BR93H66RFJ-2CE2 데이터 시트 페이지 10 BR93H66RFJ-2CE2 데이터 시트 페이지 11

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BR93H66RFJ-2CE2 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q100
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기4Kb (256 x 16)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수2MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지4ms
접근 시간-
전압-공급2.5V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP-J

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메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1066MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-VFBGA

공급자 장치 패키지

96-VFBGA (7.5x13)

MT46H16M16LFBF-6 IT:A TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

5.0ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-VFBGA

공급자 장치 패키지

60-VFBGA (8x9)

70P249L65BYGI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

64Kb (4K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

65ns

접근 시간

65ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-TFBGA

공급자 장치 패키지

100-CABGA (6x6)

GD25Q32CBIGY

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

제조업체

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

32Mb (4M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

120MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs, 2.4ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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S29PL127J70TFI133

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시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

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