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BR93H76RFJ-2CE2

BR93H76RFJ-2CE2

참조 용

부품 번호 BR93H76RFJ-2CE2
PNEDA 부품 번호 BR93H76RFJ-2CE2
설명 AUTOMOTIVE MICROWIRE BUS 8KBIT(5
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 27,000
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 21 - 3월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BR93H76RFJ-2CE2 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BR93H76RFJ-2CE2
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
BR93H76RFJ-2CE2, BR93H76RFJ-2CE2 데이터 시트 (총 페이지: 32, 크기: 1,049.61 KB)
PDFBR93H76RFVM-2CTR 데이터 시트 표지
BR93H76RFVM-2CTR 데이터 시트 페이지 2 BR93H76RFVM-2CTR 데이터 시트 페이지 3 BR93H76RFVM-2CTR 데이터 시트 페이지 4 BR93H76RFVM-2CTR 데이터 시트 페이지 5 BR93H76RFVM-2CTR 데이터 시트 페이지 6 BR93H76RFVM-2CTR 데이터 시트 페이지 7 BR93H76RFVM-2CTR 데이터 시트 페이지 8 BR93H76RFVM-2CTR 데이터 시트 페이지 9 BR93H76RFVM-2CTR 데이터 시트 페이지 10 BR93H76RFVM-2CTR 데이터 시트 페이지 11

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BR93H76RFJ-2CE2 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q100
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기8Kb (512 x 16)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수2MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지4ms
접근 시간-
전압-공급2.5V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP-J

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메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

512Kb (32K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

12ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

RMLV0408EGSB-4S2#AA1

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제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

32-TSOP II

7025S35PF

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

128Kb (8K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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시리즈

*

메모리 유형

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메모리 포맷

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기술

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

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작동 온도

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장착 유형

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