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BR93L66RFVT-WE2

BR93L66RFVT-WE2

참조 용

부품 번호 BR93L66RFVT-WE2
PNEDA 부품 번호 BR93L66RFVT-WE2
설명 IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8TSSOP
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BR93L66RFVT-WE2 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BR93L66RFVT-WE2
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
BR93L66RFVT-WE2, BR93L66RFVT-WE2 데이터 시트 (총 페이지: 38, 크기: 1,241.79 KB)
PDFBR93L76FJ-WE2 데이터 시트 표지
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BR93L66RFVT-WE2 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기4Kb (256 x 16)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수2MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지5ms
접근 시간-
전압-공급1.8V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-TSSOP-B

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기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-VFBGA

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96-FBGA (8x13)

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Micron Technology Inc.

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

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메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

40MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

95ns

접근 시간

95ns

전압-공급

1.7V ~ 2V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

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56-TSOP

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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메모리 유형

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메모리 포맷

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메모리 크기

36Mb (2M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8.4ns

전압-공급

1.71V ~ 1.89V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-LFBGA (15x17)

DS1225AD-70

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

8Kb (1K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

3MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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