BSD340NH6327XTSA1
참조 용
| 부품 번호 | BSD340NH6327XTSA1 |
| PNEDA 부품 번호 | BSD340NH6327XTSA1 |
| 설명 | SMALL SIGNAL+P-CH |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,418 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 15 - 2월 20 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BSD340NH6327XTSA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BSD340NH6327XTSA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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BSD340NH6327XTSA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | * |
| FET 유형 | - |
| FET 기능 | - |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | - |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 전력-최대 | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 공급자 장치 패키지 | PG-SOT363-6 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 22mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.6V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 18nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
제조업체 시리즈 NexFET™ FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Logic Level Gate, 5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V 전력-최대 6W 작동 온도 -55°C ~ 125°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 8-VSON (3.3x3.3) |
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