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BSH103,215

BSH103,215

참조 용

부품 번호 BSH103,215
PNEDA 부품 번호 BSH103-215
설명 MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 1,027,002
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 1 - 2월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSH103 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSH103,215
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
BSH103, BSH103 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 193.36 KB)
PDFBSH103 데이터 시트 표지
BSH103 데이터 시트 페이지 2 BSH103 데이터 시트 페이지 3 BSH103 데이터 시트 페이지 4 BSH103 데이터 시트 페이지 5 BSH103 데이터 시트 페이지 6 BSH103 데이터 시트 페이지 7 BSH103 데이터 시트 페이지 8 BSH103 데이터 시트 페이지 9 BSH103 데이터 시트 페이지 10 BSH103 데이터 시트 페이지 11

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BSH103 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)850mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)2.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs400mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id400mV @ 1mA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs2.1nC @ 4.5V
Vgs (최대)±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds83pF @ 24V
FET 기능-
전력 손실 (최대)540mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-236AB
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

160A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.9mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7320pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO263-7-3

패키지 / 케이스

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

73A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.1mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.95V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19.3nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1099pF @ 12V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

58W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

LFPAK56, Power-SO8

패키지 / 케이스

SC-100, SOT-669

NDD03N40Z-1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

400V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.1A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.4Ohm @ 600mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.6nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

140pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

37W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

IPAK (TO-251)

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

FDS2670

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

130mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

43nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1228pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SOIC

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

FQD30N06LTF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

24A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

39mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1040pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 44W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

패키지 / 케이스

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ZTB800J

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C8051F326-GM

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WSL2010R0100FEA

WSL2010R0100FEA

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RES 0.01 OHM 1% 1/2W 2010

ADM2481BRWZ

ADM2481BRWZ

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DGTL ISO RS422/RS485 16SOIC

74HC573D

74HC573D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC LATCH OCTAL D 3ST 20SOIC