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BSL202SNH6327XTSA1

BSL202SNH6327XTSA1

참조 용

부품 번호 BSL202SNH6327XTSA1
PNEDA 부품 번호 BSL202SNH6327XTSA1
설명 MOSFET N-CH 20V 7.5A 6TSOP
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSL202SNH6327XTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSL202SNH6327XTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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BSL202SNH6327XTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈OptiMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs22mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.2V @ 30µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs8.7nC @ 10V
Vgs (최대)±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1147pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지PG-TSOP-6-6
패키지 / 케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.6A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

850pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.2W (Ta), 22W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-WDFN (3.3x3.3)

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

제조업체

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시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.8mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

125nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6686pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

269W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

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TPN1110ENH,L1Q

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

U-MOSVIII-H

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

114mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 200µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

600pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

700mW (Ta), 39W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-TSON Advance (3.3x3.3)

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

CSD17579Q3A

Texas Instruments

제조업체

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NexFET™

FET 유형

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

10.2mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.9V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (최대)

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10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.7Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

540pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

35W (Tc)

작동 온도

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