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BSL205NL6327HTSA1

BSL205NL6327HTSA1

참조 용

부품 번호 BSL205NL6327HTSA1
PNEDA 부품 번호 BSL205NL6327HTSA1
설명 MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 6TSOP
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 4,482
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSL205NL6327HTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSL205NL6327HTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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  • BSL205NL6327HTSA1 Distributor

BSL205NL6327HTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈OptiMOS™
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.2V @ 11µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs3.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds419pF @ 10V
전력-최대500mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지PG-TSOP-6-6

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A, 4.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

355pF @ 20V

전력-최대

2.75W, 2.95W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

830pF @ 10V

전력-최대

450mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

APTC90H12T2G

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CoolMOS™

FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

900V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

120mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 3mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

270nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6800pF @ 100V

전력-최대

250W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP2

공급자 장치 패키지

SP2

NTHD4401PT3G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

155mOhm @ 2.1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

300pF @ 10V

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

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22.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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