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BSL215CH6327XTSA1

BSL215CH6327XTSA1

참조 용

부품 번호 BSL215CH6327XTSA1
PNEDA 부품 번호 BSL215CH6327XTSA1
설명 MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 52,638
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 26 - 3월 31 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSL215CH6327XTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSL215CH6327XTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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  • BSL215CH6327XTSA1 Distributor

BSL215CH6327XTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형N and P-Channel Complementary
FET 기능Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.2V @ 3.7µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.73nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds143pF @ 10V
전력-최대500mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지PG-TSOP-6-6

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A, 3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

520pF @ 15V

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

FD6M016N03

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Power-SPM™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.6mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

295nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

11535pF @ 15V

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

EPM15

공급자 장치 패키지

EPM15

STC5NF20V

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

STripFET™ II

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

600mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

460pF @ 15V

전력-최대

1.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

NTJD4401NT4G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

630mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

375mOhm @ 630mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

46pF @ 20V

전력-최대

270mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88/SC70-6/SOT-363

ZXMHC10A07T8TA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1A, 800mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

700mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

138pF @ 60V

전력-최대

1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-223-8

공급자 장치 패키지

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