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BSL314PEL6327HTSA1

BSL314PEL6327HTSA1

참조 용

부품 번호 BSL314PEL6327HTSA1
PNEDA 부품 번호 BSL314PEL6327HTSA1
설명 MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 5,328
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSL314PEL6327HTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSL314PEL6327HTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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  • BSL314PEL6327HTSA1 Distributor

BSL314PEL6327HTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈OptiMOS™
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs140mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 6.3µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs2.9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds294pF @ 15V
전력-최대500mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지PG-TSOP-6-6

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Microsemi

제조업체

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시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V (1kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

65A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

156mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 6mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

562nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

15200pF @ 25V

전력-최대

1250W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

SSM6N16FUTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9.3pF @ 3V

전력-최대

200mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

US6

FDD8424H-F085A

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A, 6.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1000pF @ 20V

전력-최대

1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

공급자 장치 패키지

TO-252-4L

SI5517DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

39mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

520pF @ 10V

전력-최대

8.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® ChipFET™ Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® ChipFet Dual

SI7913DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

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Vishay Siliconix

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

37mOhm @ 7.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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