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BSL316CL6327HTSA1

BSL316CL6327HTSA1

참조 용

부품 번호 BSL316CL6327HTSA1
PNEDA 부품 번호 BSL316CL6327HTSA1
설명 MOSFET N/P-CH 30V TSOP-6
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSL316CL6327HTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSL316CL6327HTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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  • BSL316CL6327HTSA1 Distributor

BSL316CL6327HTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈OptiMOS™
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1.4A, 1.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs160mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 3.7µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.6nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds94pF @ 15V
전력-최대500mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지PG-TSOP-6-6

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시리즈

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FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

115mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6Ohm @ 115mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

23pF @ 25V

전력-최대

250mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

N and P-Channel Complementary

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

220mA (Ta), 127mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 100mA, 4.5V, 5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

12.3pF @ 15V, 12.8pF @ 15V

전력-최대

125mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-XFLGA

공급자 장치 패키지

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Advanced Linear Devices Inc.

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

75Ohm @ 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10pF @ 5V

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

HS8K11TB

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A, 11A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17.9mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11.1nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

500pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

HSML3030L10

NTHD2102PT1

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

58mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 2.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

715pF @ 6.4V

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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