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BSM150GB60DLCHOSA1

BSM150GB60DLCHOSA1

참조 용

부품 번호 BSM150GB60DLCHOSA1
PNEDA 부품 번호 BSM150GB60DLCHOSA1
설명 IGBT MODULE 600V 180A
제조업체 Infineon Technologies
단가
1 ---------- $471.3478
50 ---------- $449.2534
100 ---------- $427.1590
200 ---------- $405.0646
400 ---------- $386.6525
500 ---------- $368.2405
재고 있음 159
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSM150GB60DLCHOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSM150GB60DLCHOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
BSM150GB60DLCHOSA1, BSM150GB60DLCHOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 126.45 KB)
PDFBSM150GB60DLCHOSA1 데이터 시트 표지
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  • Infineon Technologies Distributor
  • BSM150GB60DLCHOSA1 Price
  • BSM150GB60DLCHOSA1 Distributor

BSM150GB60DLCHOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)180A
전력-최대595W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대)500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce6.5nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

250A

전력-최대

890W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

350µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

13.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

BSM50GD170DLBOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Full Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

480W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

CM150RX-24S

Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

IGBTMOD™

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter with Brake

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전력-최대

1150W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

15nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGT75SK120D1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

110A

전력-최대

357W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

4mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

5345nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D1

공급자 장치 패키지

D1

FMG2G400US60

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

400A

전력-최대

1136W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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