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BSM400GA120DN2HOSA1

BSM400GA120DN2HOSA1

참조 용

부품 번호 BSM400GA120DN2HOSA1
PNEDA 부품 번호 BSM400GA120DN2HOSA1
설명 IGBT 2 MED POWER 62MM-2
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,136
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSM400GA120DN2HOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSM400GA120DN2HOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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BSM400GA120DN2HOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성Single Switch
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)550A
전력-최대2700W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대)8mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce26nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전력-최대

210W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 35A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2nF @ 25V

입력

Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

VS-GA100TS60SFPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

PT

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

220A

전력-최대

780W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.28V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

16.25nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

INT-A-Pak

공급자 장치 패키지

INT-A-PAK

FP50R12KT4PB11BPSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

DF900R12IP4DBOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single Chopper

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

900A

전력-최대

5100W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 900A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

54nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

CPV363M4K

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

11A

전력-최대

36W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 11A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

0.74nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

19-SIP (13 Leads), IMS-2

공급자 장치 패키지

IMS-2

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