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BSM50GD120DN2E3226BOSA1

BSM50GD120DN2E3226BOSA1

참조 용

부품 번호 BSM50GD120DN2E3226BOSA1
PNEDA 부품 번호 BSM50GD120DN2E3226BOSA1
설명 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 2,376
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BSM50GD120DN2E3226BOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSM50GD120DN2E3226BOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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BSM50GD120DN2E3226BOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)50A
전력-최대350W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce3.3nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SP1

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Microsemi

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Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

290A

전력-최대

750W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

12.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

2 Independent

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

1000A

전력-최대

1000000W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 1000A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

81nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FF600R12IE4PNOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

600A

전력-최대

3350W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 600A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

37nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

BSM150GB170DN2HOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

220A

전력-최대

1250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

1.5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

20nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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