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BSM50GD170DLBOSA1

BSM50GD170DLBOSA1

참조 용

부품 번호 BSM50GD170DLBOSA1
PNEDA 부품 번호 BSM50GD170DLBOSA1
설명 IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 2,016
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 27 - 4월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSM50GD170DLBOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSM50GD170DLBOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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  • BSM50GD170DLBOSA1 Distributor

BSM50GD170DLBOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1700V
전류-수집기 (Ic) (최대)100A
전력-최대480W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.3V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대)100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce3.5nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

220A

전력-최대

690W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

350µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

10.7nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

APT60GA60JD60

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 8™

IGBT 유형

PT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

112A

전력-최대

356W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 62A

전류-수집기 차단 (최대)

275µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

8.01nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

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Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

IGBTMOD™

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

400A

전력-최대

1130W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

35.2nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

420A

전력-최대

1700W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

3.3mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

17nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Y3-Li

공급자 장치 패키지

Y3-Li

APTGT200DA170D3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

400A

전력-최대

1250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

17nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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