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BSN20Q-7

BSN20Q-7

참조 용

부품 번호 BSN20Q-7
PNEDA 부품 번호 BSN20Q-7
설명 MOSFET NCH 50V 500MA SOT23
제조업체 Diodes Incorporated
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BSN20Q-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSN20Q-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
BSN20Q-7, BSN20Q-7 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 178.35 KB)
PDFBSN20Q-7 데이터 시트 표지
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BSN20Q-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)500mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.8Ohm @ 220mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.8nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds40pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)600mW (Ta), 920mW (Tc)
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SOT-23
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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제조업체

IXYS

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FET 유형

N-Channel

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드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

90A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

38mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

210nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1100W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-264

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

BSR315PH6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

SIPMOS®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

620mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

800mOhm @ 620mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 160µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

176pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

500mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-SC-59

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

IPAW70R950CEXKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™ CE

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

700V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

950mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 150µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15.3nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

328pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

68W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3-31 Full Pack

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

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IXYS

제조업체

IXYS

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드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

44A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

120mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 8mA

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10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

125mOhm @ 6.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 320µA

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Vgs (최대)

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1080pF @ 400V

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-

전력 손실 (최대)

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