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BSO4804HUMA2

BSO4804HUMA2

참조 용

부품 번호 BSO4804HUMA2
PNEDA 부품 번호 BSO4804HUMA2
설명 MOSFET 2 N-CH 30V 8A DSO8
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 5,346
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSO4804HUMA2 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSO4804HUMA2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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BSO4804HUMA2 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)8A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs20mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 30µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs17nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds870pF @ 25V
전력-최대2W
작동 온도-55°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지PG-DSO-8

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

23A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.7mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

75nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

2.5W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

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FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A, 28A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 9.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

400pF @ 15V

전력-최대

16.7W, 31W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

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MP6K13TCR

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Rohm Semiconductor

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-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

31mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

350pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

MPT6

NVMD6N03R2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

32mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

950pF @ 24V

전력-최대

1.29W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V, 8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A, 3.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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