BSP296L6327HTSA1
참조 용
| 부품 번호 | BSP296L6327HTSA1 |
| PNEDA 부품 번호 | BSP296L6327HTSA1 |
| 설명 | MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,678 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 24 - 4월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BSP296L6327HTSA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BSP296L6327HTSA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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BSP296L6327HTSA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | SIPMOS® |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.1A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 1.1A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.8V @ 400µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 17.2nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 364pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 1.79W (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | PG-SOT223-4 |
| 패키지 / 케이스 | TO-261-4, TO-261AA |
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제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 11mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 60nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3600pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.8W (Ta), 120W (Tc) 작동 온도 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220-3 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
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