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BSP60H6327XTSA1

BSP60H6327XTSA1

참조 용

부품 번호 BSP60H6327XTSA1
PNEDA 부품 번호 BSP60H6327XTSA1
설명 TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,470
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 8 - 3월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSP60H6327XTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSP60H6327XTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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BSP60H6327XTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1.8V @ 1mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대)10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce2000 @ 500mA, 10V
전력-최대1.5W
주파수-전환200MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지PG-SOT223-4

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전류-수집기 (Ic) (최대)

3.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2.5V @ 700mA, 3.5A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 1A, 5V

전력-최대

5W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.2V @ 375mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

300µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

10 @ 3A, 4V

전력-최대

2W

주파수-전환

3MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 25mA, 250mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 5V

전력-최대

1W

주파수-전환

50MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

450V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 900mA, 4.5V

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

14 @ 1A, 5V

전력-최대

125W

주파수-전환

13MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

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패키지 / 케이스

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Panasonic Electronic Components

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

170 @ 500mA, 10V

전력-최대

1W

주파수-전환

200MHz

작동 온도

150°C (TJ)

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Through Hole

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