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BSR16/LF1R

BSR16/LF1R

참조 용

부품 번호 BSR16/LF1R
PNEDA 부품 번호 BSR16-LF1R
설명 TRANSISTOR PNP
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 8,550
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSR16/LF1R 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSR16/LF1R
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
BSR16/LF1R, BSR16/LF1R 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 216.31 KB)
PDFBSR16/LF1R 데이터 시트 표지
BSR16/LF1R 데이터 시트 페이지 2 BSR16/LF1R 데이터 시트 페이지 3 BSR16/LF1R 데이터 시트 페이지 4 BSR16/LF1R 데이터 시트 페이지 5 BSR16/LF1R 데이터 시트 페이지 6 BSR16/LF1R 데이터 시트 페이지 7 BSR16/LF1R 데이터 시트 페이지 8 BSR16/LF1R 데이터 시트 페이지 9 BSR16/LF1R 데이터 시트 페이지 10 BSR16/LF1R 데이터 시트 페이지 11

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BSR16/LF1R 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈*
트랜지스터 유형-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic-
전류-수집기 차단 (최대)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce-
전력-최대-
주파수-전환-
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지TO-236AB

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 500mA, 1V

전력-최대

625mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

2N2906A

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

600mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 10V

전력-최대

400mW

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-18

KSB564ACGBU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 1V

전력-최대

800mW

주파수-전환

110MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

APT13003HU-G1

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

465V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 250mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

13 @ 500mA, 2V

전력-최대

20W

주파수-전환

4MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-225AA, TO-126-3

공급자 장치 패키지

TO-126

2N4449

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

450mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

400nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 1V

전력-최대

360mW

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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