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BSS127SSN-7

BSS127SSN-7

참조 용

부품 번호 BSS127SSN-7
PNEDA 부품 번호 BSS127SSN-7
설명 MOSFET N-CH 600V 50MA SC59
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 5,022
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSS127SSN-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSS127SSN-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
BSS127SSN-7, BSS127SSN-7 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 360.29 KB)
PDFBSS127SSN-7 데이터 시트 표지
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BSS127SSN-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)50mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs160Ohm @ 16mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.08nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds21.8pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)610mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SC-59
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Torex Semiconductor Ltd

제조업체

Torex Semiconductor Ltd

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

390pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-89

패키지 / 케이스

TO-243AA

FDMC2514SDC

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

24A (Ta), 40A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.5mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

44nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2705pF @ 13V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3W (Ta), 60W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

Dual Cool ™ 33

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

SFU9220TU_AM002

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.1A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 1.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

540pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 30W (Tc)

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I-PAK

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

STB40NF10T4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

STripFET™ II

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

80nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1780pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150W (Tc)

작동 온도

-50°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

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