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BSS138BKS,115

BSS138BKS,115

참조 용

부품 번호 BSS138BKS,115
PNEDA 부품 번호 BSS138BKS-115
설명 MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 331,506
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSS138BKS 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSS138BKS,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
BSS138BKS, BSS138BKS 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 1,600.73 KB)
PDFBSS138BKSH 데이터 시트 표지
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  • BSS138BKS,115 Distributor

BSS138BKS 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)320mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 320mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1.6V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds56pF @ 10V
전력-최대445mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지6-TSSOP

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V, 12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.4A, 2.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.5nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

270pF @ 15V

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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시리즈

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FET 유형

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V (1kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

22A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

420mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

186nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5200pF @ 25V

전력-최대

390W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

SP6-P

SI5905BDC-T1-GE3

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

350pF @ 4V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

1206-8 ChipFET™

SLA5041

Sanken

제조업체

Sanken

시리즈

-

FET 유형

4 N-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

175mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

850pF @ 10V

전력-최대

5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate, 5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

45A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1.9V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1860pF @ 15V

전력-최대

2.8W

작동 온도

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장착 유형

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