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BSS138LT3

BSS138LT3

참조 용

부품 번호 BSS138LT3
PNEDA 부품 번호 BSS138LT3
설명 MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,052
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 8 - 2월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSS138LT3 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSS138LT3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
BSS138LT3, BSS138LT3 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 178.05 KB)
PDFBSS138LT3 데이터 시트 표지
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BSS138LT3 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs3.5Ohm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds50pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)225mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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제조업체

Infineon Technologies

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.1A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 30µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.6nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

750pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TSOP-6-6

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

STF18N65M5

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

MDmesh™ V

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

220mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1240pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

25W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220FP

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

RV3CA01ZPT2CL

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.8Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7.5pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

100mW (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

VML0604

패키지 / 케이스

3-XFDFN

ZVN0124ZSTOA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

240V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

160mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16Ohm @ 250mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

85pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

E-Line (TO-92 compatible)

패키지 / 케이스

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ZXMP4A57E6TA

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제조업체

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P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.9A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15.8nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

833pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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