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BSS138PS,115

BSS138PS,115

참조 용

부품 번호 BSS138PS,115
PNEDA 부품 번호 BSS138PS-115
설명 MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 1,416,720
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSS138PS 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSS138PS,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
BSS138PS, BSS138PS 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 915.3 KB)
PDFBSS138PS 데이터 시트 표지
BSS138PS 데이터 시트 페이지 2 BSS138PS 데이터 시트 페이지 3 BSS138PS 데이터 시트 페이지 4 BSS138PS 데이터 시트 페이지 5 BSS138PS 데이터 시트 페이지 6 BSS138PS 데이터 시트 페이지 7 BSS138PS 데이터 시트 페이지 8 BSS138PS 데이터 시트 페이지 9 BSS138PS 데이터 시트 페이지 10 BSS138PS 데이터 시트 페이지 11

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  • BSS138PS,115 Distributor

BSS138PS 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)320mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds50pF @ 10V
전력-최대420mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지6-TSSOP

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

250mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.3nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

33pF @ 5V

전력-최대

272mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88/SC70-6/SOT-363

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

220mA, 200mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.38nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

22.6pF @ 15V

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-963

공급자 장치 패키지

SOT-963

APTM50DSKM65T3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

51A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

78mOhm @ 25.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

140nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7000pF @ 25V

전력-최대

390W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

FDS6982S

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®, SyncFET™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.3A, 8.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2040pF @ 10V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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8-SOIC

SIA923EDJ-T1-GE3

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

54mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

7.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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