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BSS138W

BSS138W

참조 용

부품 번호 BSS138W
PNEDA 부품 번호 BSS138W
설명 MOSFET N-CH 50V 0.21A SOT323
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 297,624
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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BSS138W 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSS138W
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
BSS138W, BSS138W 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 351.34 KB)
PDFBSS138W 데이터 시트 표지
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BSS138W 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)210mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs3.5Ohm @ 220mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.1nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds38pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)340mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SC-70 (SOT323)
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.4mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

180nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4700pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3-1

패키지 / 케이스

TO-220-3

제조업체

IXYS

시리즈

TrenchMV™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

83A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

132nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

140W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

ISOPLUS220™

패키지 / 케이스

ISOPLUS220™

IRLS3036PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

195A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.4mOhm @ 165A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

140nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

11210pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

380W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IXFH67N10Q

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

67A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 33.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

260nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXFH)

패키지 / 케이스

TO-247-3

IRFH8330TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Ta), 56A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.35V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1450pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.3W (Ta), 35W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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