BSS169L6327HTSA1
참조 용
| 부품 번호 | BSS169L6327HTSA1 |
| PNEDA 부품 번호 | BSS169L6327HTSA1 |
| 설명 | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,142 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 7 - 4월 12 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BSS169L6327HTSA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BSS169L6327HTSA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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BSS169L6327HTSA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | SIPMOS® |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 170mA (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 0V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 170mA, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.8V @ 50µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 2.8nC @ 7V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 68pF @ 25V |
| FET 기능 | Depletion Mode |
| 전력 손실 (최대) | 360mW (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-23-3 |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 49A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 11mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.55V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 11nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 810pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 40W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D-Pak 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 17A (Ta), 46A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.6V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 22.5nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 951pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-252, (D-Pak) 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 MDmesh™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 400mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 43.6nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1630pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 35W (Tc) 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220FP 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |
