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BSS84AKS,115

BSS84AKS,115

참조 용

부품 번호 BSS84AKS,115
PNEDA 부품 번호 BSS84AKS-115
설명 MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 711,696
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSS84AKS 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSS84AKS,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
BSS84AKS, BSS84AKS 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 1,431.95 KB)
PDFBSS84AKS/ZLX 데이터 시트 표지
BSS84AKS/ZLX 데이터 시트 페이지 2 BSS84AKS/ZLX 데이터 시트 페이지 3 BSS84AKS/ZLX 데이터 시트 페이지 4 BSS84AKS/ZLX 데이터 시트 페이지 5 BSS84AKS/ZLX 데이터 시트 페이지 6 BSS84AKS/ZLX 데이터 시트 페이지 7 BSS84AKS/ZLX 데이터 시트 페이지 8 BSS84AKS/ZLX 데이터 시트 페이지 9 BSS84AKS/ZLX 데이터 시트 페이지 10 BSS84AKS/ZLX 데이터 시트 페이지 11

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BSS84AKS 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)160mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs7.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.35nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds36pF @ 25V
전력-최대445mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지6-TSSOP

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

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제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

시리즈

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FET 유형

4 P-Channel, Matched Pair

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

180mV @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2.5pF @ 5V

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

16-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

16-PDIP

2N7335

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

4 P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

750mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

14-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

MO-036AB

SI3585CDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.9A, 2.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

58mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.8nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

150pF @ 10V

전력-최대

1.4W, 1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

6-TSOP

FMM75-01F

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

180nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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