BSS84P E6433
참조 용
| 부품 번호 | BSS84P E6433 |
| PNEDA 부품 번호 | BSS84P-E6433 |
| 설명 | MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,598 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 28 - 3월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BSS84P E6433 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BSS84P E6433 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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BSS84P E6433 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | SIPMOS® |
| FET 유형 | P-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 170mA (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 170mA, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 20µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 1.5nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 19pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 360mW (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-23-3 |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 16V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 39mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10nC @ 4.5V Vgs (최대) ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 282pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 650mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 X2-DFN2015-3 패키지 / 케이스 3-XDFN |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 POWER MOS 8™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 130mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 280nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 11300pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1040W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-247 [B] 패키지 / 케이스 TO-247-3 Variant |
