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BTS247ZE3043AKSA1

BTS247ZE3043AKSA1

참조 용

부품 번호 BTS247ZE3043AKSA1
PNEDA 부품 번호 BTS247ZE3043AKSA1
설명 MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,348
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BTS247ZE3043AKSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BTS247ZE3043AKSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
BTS247ZE3043AKSA1, BTS247ZE3043AKSA1 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 302.96 KB)
PDFBTS247ZE3043AKSA1 데이터 시트 표지
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  • BTS247ZE3043AKSA1 Distributor

BTS247ZE3043AKSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈TEMPFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)33A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs18mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 90µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs90nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1730pF @ 25V
FET 기능Temperature Sensing Diode
전력 손실 (최대)120W (Tc)
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지P-TO220-5-43
패키지 / 케이스TO-220-5

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 15A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 6mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.6nC @ 5V

Vgs (최대)

+6V, -4V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

805pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

Die

패키지 / 케이스

Die

R6020JNZC8

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

15V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

234mOhm @ 10A, 15V

Vgs (th) (최대) @ Id

7V @ 3.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

45nC @ 15V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1500pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

76W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-3PF

패키지 / 케이스

TO-3P-3 Full Pack

IRLBD59N04ETRLP

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

59A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

50nC @ 5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2190pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

130W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263-5

패키지 / 케이스

TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA

AUIRL2203N

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3290pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

180W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

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IPA80R460CEXKSA2

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.8A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

460mOhm @ 7.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 680µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

64nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1600pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

34W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220 Full Pack

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