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BTS282ZAKSA1

BTS282ZAKSA1

참조 용

부품 번호 BTS282ZAKSA1
PNEDA 부품 번호 BTS282ZAKSA1
설명 MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
제조업체 Infineon Technologies
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BTS282ZAKSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BTS282ZAKSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
BTS282ZAKSA1, BTS282ZAKSA1 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 270.91 KB)
PDFBTS282Z E3230 데이터 시트 표지
BTS282Z E3230 데이터 시트 페이지 2 BTS282Z E3230 데이터 시트 페이지 3 BTS282Z E3230 데이터 시트 페이지 4 BTS282Z E3230 데이터 시트 페이지 5 BTS282Z E3230 데이터 시트 페이지 6 BTS282Z E3230 데이터 시트 페이지 7 BTS282Z E3230 데이터 시트 페이지 8 BTS282Z E3230 데이터 시트 페이지 9 BTS282Z E3230 데이터 시트 페이지 10 BTS282Z E3230 데이터 시트 페이지 11

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  • BTS282ZAKSA1 Distributor

BTS282ZAKSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈TEMPFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)49V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 240µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs232nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds4800pF @ 25V
FET 기능Temperature Sensing Diode
전력 손실 (최대)300W (Tc)
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지P-TO220-7-3
패키지 / 케이스TO-220-7

관심을 가질만한 제품

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

400V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

530mOhm @ 5.25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1090pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

44W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220F

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

52A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

125mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

6V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

245nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6725pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1250W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-264

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

IRLU2905PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

42A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

27mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

48nC @ 5V

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1700pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I-PAK

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

TSM120N06LCP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

70A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

37nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2118pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

125W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

패키지 / 케이스

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IRLI2910

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

31A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

26mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

140nC @ 5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3700pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

63W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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