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BU808DFI

BU808DFI

참조 용

부품 번호 BU808DFI
PNEDA 부품 번호 BU808DFI
설명 TRANS NPN DARL 700V ISOWATT218
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 3,978
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BU808DFI 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BU808DFI
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
BU808DFI, BU808DFI 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 217.18 KB)
PDFBU808DFI 데이터 시트 표지
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BU808DFI 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
트랜지스터 유형NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)700V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1.6V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대)400µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce60 @ 5A, 5V
전력-최대52W
주파수-전환-
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스ISOWATT-218-3
공급자 장치 패키지ISOWATT-218

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ON Semiconductor

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

250 @ 100mA, 1V

전력-최대

310mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 1V

전력-최대

300mW

주파수-전환

250MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

135 @ 100mA, 2V

전력-최대

500mW

주파수-전환

160MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

SOT-89

2SC5200-O(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

230V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 800mA, 8A

전류-수집기 차단 (최대)

5µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 1A, 5V

전력-최대

150W

주파수-전환

30MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3PL

공급자 장치 패키지

TO-3P(L)

NST489AMT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

200mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 500mA, 5V

전력-최대

535mW

주파수-전환

300MHz

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