BUK6D120-60PX
참조 용
| 부품 번호 | BUK6D120-60PX |
| PNEDA 부품 번호 | BUK6D120-60PX |
| 설명 | BUK6D120-60P/SOT1220/SOT1220 |
| 제조업체 | Nexperia |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 55,998 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 21 - 6월 26 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BUK6D120-60PX 리소스
| 브랜드 | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BUK6D120-60PX |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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BUK6D120-60PX 사양
| 제조업체 | Nexperia USA Inc. |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| FET 유형 | P-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3A (Ta), 8A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.2V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 724pF @ 30V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 2.3W (Ta), 15W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | DFN2020MD-6 |
| 패키지 / 케이스 | 6-UDFN Exposed Pad |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 aMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 290mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17.2nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 841pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 28W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 - 패키지 / 케이스 TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7A (Ta), 37A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 20mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 68nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2300pF @ 30V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.1W (Ta), 60W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-252, (D-Pak) 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 LITTLE FOOT® FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 58mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17nC @ 10V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 480pF @ 10V FET 기능 Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대) 2.3W (Ta), 10.4W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PowerPAK® ChipFet Dual 패키지 / 케이스 PowerPAK® ChipFET™ Dual |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 10mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 41nC @ 10V Vgs (최대) ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2246pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 940mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PowerDI3333-8 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 44nC @ 5V Vgs (최대) ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4901pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 203W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
